Dynamic Random Access Memory ICs

Dynamische Schreib-/Lesespeicher. Bewährte Speichertechnologie mit sehr hoher Kapazität, DRAM-Speicherkomponenten benötigen jedoch vom Prozessor gesteuerte Refresh-Zyklen.
Relativ hoher Stromverbrauch im Vergleich zu anderen Speichertechnologien wie SRAM.

Vorteil: Günstigster Preis pro MBit im Vergleich zu allen weiteren Arten von Memory-ICs.

MEMPHIS berät Sie umfassend zum Einsatz von DRAM-Memory ICs der unterschiedlichen Hersteller und beliefert mit synchronen sowie asynchronen DRAMs. Nutzen Sie auf den folgenden Seiten den Überblick
zu Speicherkomponenten und ersparen Sie sich so die mühsame Suche auf einzelnen Herstellerseiten!

Aufgabe:
Schneller Abruf und Speicherung großer Datenmengen in direktem Zusammenspiel mit dem Prozessor/Microcontroller.

Einsatzbereich:
Alle Arten von Computersystemen, mobile Geräte wie Mobiltelefone, Datenerfassungsgeräte,
Drucker, Steuerungen, etc.

Arbeiten synchron zum Gerätetakt, was die Datenübertragung zum Gerät optimiert;
entsprechend hoch sind die Zugriffszeiten synchroner DRAMs.
 DDR3 SDRAM
 DDR2 SDRAM
 DDR SDRAM
 Mobile DDR SDRAM
 Mobile SDRAM
 SDRAM

Arbeiten nicht im Gerätetakt. Die Produktion asynchroner DRAMs ist stark rückläufig bis eingestellt, zugunsten synchroner DRAMs bzw. technologischer Alternativen. Greifen Sie hier auf unseren Lagerbestand zu! Außerdem empfehlen wir Ihnen Lösungen zu Ersatzprodukten.
 EDO/FPM DRAM